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    GaN-Schalttransistoren für effiziente DC/DC-Wandler und Photovoltaik-Wechselrichter hoher Leistung ; Schlussbericht ; Laufzeit: 01.06.2010 - 31.05.2013

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    Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik | TIBKAT | 2013
    Schlagwörter: Galliumnitrid

    SiC/GaN power semiconductor devices: a theoretical comparison and experimental evaluation under different switching conditions

    Freier Zugriff
    Li, Ke / Evans, Paul / Johnson, Mark | IET | 2017
    Schlagwörter: gallium nitride power semiconductor devices , gallium nitride power transistors , gallium nitride-HEMT

    Microwave Power Amplifiers for NASA Missions

    R. N. Simons | NTIS | 2023
    Schlagwörter: Gallium nitride hemt mmic amplifiers

    Projekt: "AviGaN" - Hocheffiziente und -kompakte Stromversorgung für die Aviatik mit GaN-Transistoren : Berichtszeitraum: 01.01.2018-30.06.2020

    Schöner, Christian / Armbruster, Cornelius / Cammerer, Tim et al. | TIBKAT | 2020
    Schlagwörter: Galliumnitrid

    Projekt: "AviGaN" - Hocheffiziente und -kompakte Stromversorgung für die Aviatik mit GaN-Transistoren : Berichtszeitraum: 01.01.2018-30.06.2020

    Freier Zugriff
    Schöner, Christian / Armbruster, Cornelius / Cammerer, Tim et al. | TIBKAT | 2020
    Schlagwörter: Galliumnitrid

    Projekt: "AviGaN" - Hocheffiziente und -kompakte Stromversorgung für die Aviatik mit GaN-Transistoren : Berichtszeitraum: 01.01.2018-30.06.2020

    Hammer, Andreas / Wedler, Sebastian / Örnek, Bayram et al. | TIBKAT | 2020
    Schlagwörter: Galliumnitrid

    Halbleiter großer Bandlückenenergie in Stromrichtern mit Spannungszwischenkreis zur Ansteuerung dynamischer Servoantriebe

    Stubenrauch, Franz Johann / Technische Universität München | TIBKAT | 2018
    Schlagwörter: Galliumnitrid